氮化矽有何特點？秋葵视频成年人APP污下载設備是如何刻蝕氮化矽的？
文章導讀：氮化矽，即Si3N4，是目前較為熱門的新材料之一，其具有密度小、硬度大、彈性模量高、熱穩定性好等特色，在諸多範疇都有運用。在晶圓製作中，氮化矽是能夠代替氧化矽使用的。
氮化矽（Si3N4）的材料特點：氮化矽是當前較為熱門的新材料之一，具有密度小、硬度大、彈性模量高、熱穩定性好等特點，在諸多範疇都有使用。在晶圓製作中，氮化矽可代替氧化矽使用，因其硬度高，可在晶圓外表形成十分薄的氮化矽薄膜（在矽片加工中，使用zui為廣泛的描繪薄膜厚度的單位是埃），厚度約在數十埃，保護外表，防止劃傷，此外其傑出的絕緣強度和抗氧化才能也能夠很好地達到阻隔的作用。氮化矽的流動性不如氧化物，因此較為難以刻蝕，采用等離子外表處理設備的刻蝕工藝可以克服刻蝕上的難點。
等離子體刻蝕是通過化學作用或者物理作用，又或者是物理和化學的共同作用來完成的。反應過程是通過反應腔室內的氣體通過輝光放電，從而形成包含離子、電子及遊離基等活性物質的等離子體，因其具有擴散性，會吸附到介質的表麵，從而與介質表麵原子發生化學反應，形成揮發性物質。與此同時，高能離子會在一定壓力下對介質表麵進行物理轟擊以及刻蝕，來去除再沉積的反應產品和聚合物。經過化學和物理的共同作用來完成對介質層的刻蝕。
等離子體刻蝕在晶圓製作工藝中是非常重要的一種，也是微電子IC製作工藝以及微納製作工藝中的一種相當重要的步驟，一般是在光刻膠塗布以及光刻顯影之後，通過將光刻膠作為掩膜，等離子體經過物理濺射和化學作用來將秋葵视频黄色网站下载並不需要的金屬去除，光刻膠在這過程中就相當於反應的保護膜，其意圖是為了構成與光刻膠圖形相同的線路圖形。秋葵视频成年人APP污下载設備的刻蝕工藝是目前主流的幹式刻蝕，因其具有較好的刻蝕速率以及良好的方向性，現在已逐步代替傳統的濕法刻蝕。
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