秋葵视频IOS在线免费观看機看當前芯片製造
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於是各種後摩爾時代的技術開始被探索，MOSFET晶體管從二維進入3D FinFET，進入GAA；3D封裝、SiP封裝等先進封裝技術也成為企業加速布局的技術，Chiplet被派上用場，國際大廠紛紛加入這個行列；諸如碳納米管等新型半導體材料也在加速攻堅；存算一體新器件開始逐步替代傳統的MOS器件；甚至要超越晶體管進入量子計算；等等。整個半導體業界無不為芯片的下一步發展找尋新思路。現在有一種全新的、更劃算的技術或許能為芯片製造的微縮打開另一扇大門，那就是定向自組裝技術（DSA），它可以算是光刻技術的一種互補技術。
在2021年SPIE先進光刻大會上，全球領先的納米電子和數字技術研究和創新中心imec首次展示了定向自組裝(DSA)到間距小至18nm的模式線/空間的能力，一種優化的幹蝕刻化學方法成功地將圖案轉移到底層的厚SiN層中，這將使進一步的缺陷檢測成為可能。這些結果證實了定向自組裝技術（DSA）有潛力補充用於亞 2nm技術節點工業製造的傳統自上而下圖案化。
現在芯片通常通過光刻法製造。簡言之，電路的每一個微小特征都被投射在矽片上，在此過程中，會在矽片上塗覆被稱為光致抗蝕劑的光敏材料。之後，矽晶片將被置於不同圖案之下，這些圖案由光線穿透被稱為掩模的濾光片形成。光線每照射到一處，光刻膠便會固化，其餘部分則會被衝洗掉。在下一步驟中，會對晶圓進行化學蝕刻，由此在表麵的裸露部分形成功能結構。光刻技術的進步一直是推動後續半導體節點前進的關鍵。隨著芯片進入10nm以下，極紫外（EUV）技術必不可少，光刻變得過於複雜且成本高昂，一台EUV光刻機的成本超過了1億美元。相對的，芯片的成本也隨之水漲船高。
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